1. Vekiĝaj Metodoj
Kiam unue ŝaltita, ekzistas tri vekigaj metodoj (estontaj produktoj ne postulos aktivigon):
- Vekiĝo per butonaktivigo;
- Vekiĝo per ŝargado;
- Vekigo per Bluetooth-butono.
Por posta ŝaltado, ekzistas ses vekigaj metodoj:
- Vekiĝo per butonaktivigo;
- Vekiĝo dum ŝargado (kiam la eniga tensio de la ŝargilo estas almenaŭ 2V pli alta ol la bateria tensio);
- 485 komunikada aktivigo vekiĝo;
- Vekiĝo per aktivigo de CAN-komunikado;
- Vekiĝo per malŝarĝa aktivigo (fluo ≥ 2A);
- Vekiĝo per ŝlosila aktivigo.
2. BMS-Dormreĝimo
LaBMSeniras malalt-energian reĝimon (defaŭlta tempo estas 3600 sekundoj) kiam ne estas komunikado, ne estas ŝarga/malŝarga kurento, kaj ne estas vekiga signalo. Dum dormanta reĝimo, la ŝargaj kaj malŝargaj MOSFET-oj restas konektitaj krom se bateria malalttensio estas detektita, tiam la MOSFET-oj malkonektiĝos. Se la BMS detektas komunikajn signalojn aŭ ŝargajn/malŝargajn kurentojn (≥2A, kaj por ŝarga aktivigo, la eniga tensio de la ŝargilo devas esti almenaŭ 2V pli alta ol la bateria tensio, aŭ estas vekiga signalo), ĝi tuj respondos kaj eniros la vekigan funkcian staton.
3. Strategio pri Kalibrado de SOC
La efektiva tuta kapacito de la baterio kaj xxAH estas agordita per la gastiga komputilo. Dum ŝargado, kiam la ĉeltensio atingas la maksimuman supertensian valoron kaj estas ŝarga kurento, la SOC (stata ŝarĝo) estos kalibrita al 100%. (Dum malŝargado, pro eraroj en la kalkulo de SOC, SOC eble ne estos 0% eĉ kiam la alarmkondiĉoj de subtensio estas plenumitaj. Noto: La strategio devigi SOC al nulo post ĉeltromalŝarga (subtensia) protekto povas esti adaptita.)
4. Strategio pri Traktado de Eraroj
Difektoj estas klasifikitaj en du nivelojn. La BMS traktas malsamajn nivelojn de difektoj malsame:
- Nivelo 1: Malgrandaj eraroj, la BMS nur alarmas.
- Nivelo 2: Severaj eraroj, la BMS alarmas kaj malŝaltas la MOS-ŝaltilon.
Por la jenaj Nivelo 2-eraroj, la MOS-ŝaltilo ne estas malŝaltita: alarmo pri troa tensiodiferenco, alarmo pri troa temperaturdiferenco, alarmo pri alta SOC kaj alarmo pri malalta SOC.
5. Ekvilibra Kontrolo
Pasiva ekvilibrigo estas uzata. LaBMS kontrolas la malŝarĝon de pli alttensiaj ĉelojtra rezistiloj, disipante la energion kiel varmon. La ekvilibriga kurento estas 30mA. Ekvilibrigo ekiĝas kiam ĉiuj el la jenaj kondiĉoj estas plenumitaj:
- Dum ŝargado;
- La ekvilibriga aktiviga tensio estas atingita (agebla per la gastiga komputilo); Tensiodiferenco inter ĉeloj > 50mV (50mV estas la defaŭlta valoro, agordebla per la gastiga komputilo).
- Defaŭlta aktiviga tensio por litia fera fosfato: 3.2V;
- Defaŭlta aktiviga tensio por ternara litio: 3.8V;
- Defaŭlta aktiviga tensio por litia titanato: 2.4V;
6. SOC-Takso
La BMS taksas la SOC uzante la kulomban kalkuladmetodon, akumulante la ŝargon aŭ malŝargon por taksi la SOC-valoron de la baterio.
Eraro de Takso de SOC:
| Precizeco | SOC-Intervalo |
|---|---|
| ≤ 10% | 0% < SOC < 100% |
7. Precizeco de tensio, kurento kaj temperaturo
| Funkcio | Precizeco | Unuo |
|---|---|---|
| Ĉela Tensio | ≤ 15% | mV |
| Totala Tensio | ≤ 1% | V |
| Aktuala | ≤ 3%FSR | A |
| Temperaturo | ≤ 2 | °C |
8. Energikonsumo
- Memkonsuma kurento de la aparatara plato dum funkciado: < 500µA;
- Memkonsuma kurento de la programara plato dum funkciado: < 35mA (sen ekstera komunikado: < 25mA);
- Memkonsuma kurento en dormanta reĝimo: < 800µA.
9. Mola Ŝaltilo kaj Ŝlosila Ŝaltilo
- La defaŭlta logiko por la mola ŝaltilfunkcio estas inversa logiko; ĝi povas esti adaptita al pozitiva logiko.
- La defaŭlta funkcio de la ŝlosilŝaltilo estas aktivigi la BMS; aliaj logikaj funkcioj povas esti agorditaj.
Afiŝtempo: 12-Jul-2024
